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申请号 | 专利名称 | 专利状态 | 申请日 | 缴费截止日 | 授权日 | 更新日 |
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2021116477561 |
发明
集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法【优惠一千】 【不用公示】 【不用二次变更】
集成芯片 光电探测器 【集成芯片 光电探测器】 1人 H01L31/105 H01L31/101 H01L31/0232 H01L31/18 |
已下证 | ||||
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2021116436364 |
发明
一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法【优惠一千】 【不用公示】 【不用二次变更】
集成芯片 光电探测器 【集成芯片 光电探测器】 1人 H01L31/105 H01L31/101 H01L31/0232 H01L31/18 |
已下证 |
