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申请号 | 专利名称 | 专利状态 | 申请日 | 缴费截止日 | 授权日 | 更新日 |
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2020111980634 |
发明
一种离子布植方法、装置及设备【特价15】
半导体 集成电路 半导体制程 半导体芯片 离子束流 1人 H01L21/265 H01J37/317 |
已下证 | ||||
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2017105646856 |
发明
瞬态电压抑制器及其制作方法（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件）
【半导体芯片制造】（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） 【半导体芯片制造半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件】 2人 H01L27/02 H01L27/08 H01L29/06 H01L29/866 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8222 H01L21/329 |
已下证 |
