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申请号 | 专利名称 | 专利状态 | 申请日 | 缴费截止日 | 授权日 | 更新日 |
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2017113671900 |
发明
多晶硅高阻结构及其制作方法
半导体 集成电路 电阻 晶圆 （半导体 晶圆） （变电站 电力 保护屏） 1人 H01L23/535 |
已下证 |
