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申请号 | 专利名称 | 专利状态 | 申请日 | 缴费截止日 | 授权日 | 更新日 |
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2018105681498 |
发明
一种银銦镓硒薄膜及其制备方法和应用
半导体材料 第三代半导体 【半导体材料 第三代半导体】 宽禁带半导体材料 第三代半导体材料】 3人 H01L31/032 H01L31/0392 B82Y30/00 |
已下证 |
