发明 一种银銦镓硒薄膜及其制备方法和应用
半导体材料 第三代半导体 【半导体材料 第三代半导体】 宽禁带半导体材料 第三代半导体材料】 3人
H01L31/032 H01L31/0392 B82Y30/00
摘要：本发明公开了一种银铟镓硒薄膜，包括衬底，衬底的表面上依次涂覆有Ag2Se纳米颗粒层、Ga2Se3纳米颗粒层及In2Se3纳米颗粒层。该银铟镓硒薄膜具有电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，同时，采用它制作的光伏电池具有光电转换效率高，开路电压大的特点。本发明还公开了该银铟镓硒薄膜的制备方法及应用。该银铟镓硒薄膜的制备方法通过研磨步骤，配置浆料步骤，涂覆步骤，加热及退火处理步骤制备得到，首次采用非真空方法制备银铟镓硒薄膜，与传统的真空方法相比，具有制备过程简单，制备效率高，价格低廉等优点，适合大面积制备AIGS薄膜。
