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申请号 专利名称 专利状态 申请日 缴费截止日 授权日 更新日
2017113512923 发明 基于横向二极管的TSV转接板
半导体集成电路 芯片 3人
H01L23/538 H01L21/768 H01L27/02
已下证
2018110114628 发明 多晶硅熔丝结构的制造方法(硅片半导体集成电路电路板硅晶体晶圆)
【硅片 半导体 集成电路 电路板 硅晶体 晶圆】 9人
H01L21/768 H01L23/525
已下证