发明 基于横向二极管的TSV转接板
半导体集成电路 芯片 3人
H01L23/538 H01L21/768 H01L27/02
摘要：本发明涉及一种基于横向二极管的TSV转接板，包括：Si衬底(101)；至少两个TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；至少三个隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于每两个所述TSV区(102)之间；横向二极管(104)，设置于所述Si衬底(101)内并位于相邻两个所述隔离区(103)之间；互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)进行串行连接。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
