发明 开关性能稳定的功率器件
半导体 功率器件 （半导体 功率器件） 集成电路 电阻 晶圆） 1人
H01L27/088
摘要：本发明的公开了一种开关性能稳定的功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置器件漏极，所述衬底上端配置有外延层；第二导电型的沟道、第二导电型的体区，体区内配置有器件源极和器件栅极；其中，所述沟道中存在第一独立沟道、第二独立沟道以及第三独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有第一金属‑氧化物半导体场效应管，所述第二独立沟道上部配置有第二金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻和第二电阻，第一、第二金属‑氧化物半导体场效应管作为导流回路连接在功率器件中。本发明解决了功率器件开关性能不稳定的技术问题。
