发明 一种多孔铜基晶须材料的制备方法【金属制品,有色金属,铜合金,铜基材,多孔铜,硬质合金,铜制品】
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C30B29/62 C30B29/02 C30B1/00 C22C1/04 B22F3/11 C23F1/36 C23C14/06 C23C14/28 C25F3/04 B01J32/00
摘要:本发明提供了一种多孔铜基晶须材料的制备方法,通过化学‑电化学腐蚀去合金的方法获得高比表面积多孔铜,然后通过脉冲激光烧灼硫化钨的方法,在多孔的表面获得硫化钨层,并通过改善高温还原过程的时间和温度,有效控制铜晶须在多孔铜表面的原位生长的速度和尺寸,有效的提高多孔铜的比表面积。