发明 一种硅表面镀层及其制备工艺和用途
1人
C23C18/18 C23C18/36 C25D5/10 C25D3/56 C25D5/50 C23C28/02 H01L21/02
摘要：本发明公开了一种硅表面镀层及其制备工艺和用途，该工艺包含：(1)将单晶硅试样放入SnCl2/HCl溶液中敏化；(2)将敏化试样浸泡在PdCl2/HCl/HF溶液中活化；(3)将活化试样浸泡在无电镀镍溶液中镀镍；(4)将镀镍试样在H2/Ar环境中热处理，形成镍硅化合物；(5)将试样粘在铜片上，电镀负极接试样上的铜片，在钴钌溶液中电镀，钴钌合金镀层的厚度至少为0.090μm；(6)将电镀正极接试样上的铜片，将试样放入电镀铜溶液中电镀，待电镀结束后将试样放入H2/Ar环境中在进行退火处理，退火处理根据步骤(5)中钴钌合金镀层的厚度控制，完成镀层制备。本发明镀层能替代太阳能电池中导电胶，降低成本。
