发明 瞬态电压抑制器及其制作方法
电压抑制器 半导体芯片 电路保护 【电压抑制器 半导体芯片 电路保护】 4人
H01L27/02 H01L29/866 H01L21/329
摘要：本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的P型外延层、形成于所述P型外延层中的P型隔离阱、形成于所述P型外延层表面的N型掺杂区域、及形成于所述N型掺杂区域表面的第一P型掺杂区域及第二P型掺杂区域，其中所述第一P型掺杂区域与所述第二P型掺杂区域位于所述N型掺杂区域的两端，所述第一P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第一齐纳二极管，所述第二P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第二齐纳二极管。所述瞬态电压抑制器具有器件面积小，工艺难度低，制造成本低、保护特性和可靠性较高的优点。
