发明 化学气相沉积法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统
石墨烯合成 半导体合成 5人
C23C16/46 C23C16/30
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积(CVD)法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统，以解决CVD法在FeS2基底上生长MoS2过程中对FeS2实时冷却的技术问题。该冷却系统包括冷却器、第Ⅰ外管、第Ⅱ外管、第Ⅲ外管、进水管、回水管、两个管接头、连接法兰、两个连接套筒、两个支腿和FeS2承载架。该冷却系统可以在热反应炉的石英管内对FeS2进行降温冷却，且具有冷却温度可调节、成本低、易于安装等优点。
