发明 一种基于黑磷烯的半导体复合材料及其制备方法与应用（半导体材料、石墨烯）
2人
C08L33/12 C08L23/08 C08L27/16 C08L79/02 C08K7/00 C08K3/34 C08G73/02
摘要：本发明涉及一种基于黑磷烯的半导体复合材料及其制备方法与应用，其原料组分如下：黑磷烯‑聚苯胺复合物10～20份，成膜基底50～60份，填料0～15份，交联剂1～5份，有机溶剂200～250份。相对于现有技术，本发明以黑磷烯‑聚苯胺为半导体介质，其特殊的二维纳米结构，使得在不添加导电粉体情况下，在20℃的体积电阻率在6～11Ω·cm，应用前景广泛；且黑磷烯二维纳米结构与苯胺形成共轭结构，聚合后的聚苯胺与黑磷复合均匀，使得材料性能更加稳定。
