发明 一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法（金属化合物（【特价】
磁存储材料 磁性材料 金属化合物 主要应用于化学 物理 材料科学等领域 【磁存储材料 磁性材料 金属化合物 主要应用于化学 物理 材料科学等领域】 1人
C07F5/00 C09K11/06 H01F1/42
摘要：本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法。一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料，化学式为[Dy2(HL)2]·2CH3OH·CH3CN，其中HL为失去三个质子的2,9‑二邻羟基苯酰腙邻菲罗啉。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料晶体属于三斜晶系，P‑1空间群，晶胞参数为a＝12.3932(6)Å，b＝15.0551(10)Å，c＝15.5316(10)Å，α＝91.075(3)°，β＝100.739(2)°，γ＝111.8726(19)°，V＝2629.8(3)Å3。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料具有单分子磁体特性，且制备方法简单、方便，产率高，重现性好，成本低，有望用于新型的磁存储材料。
