发明 一种主动式抑制碳化硅膨胀的高温封装装置【特价 报过高新】
半导体 芯片封装 【半导体 芯片封装】 半导体 芯片封装 碳化硅 【半导体 芯片封装 碳化硅】 1人
B29C45/14 B29C45/00 B29C45/26 H01L21/56
摘要：本发明公开了一种主动式抑制碳化硅膨胀的高温封装装置，封装装置在芯片基板上构造多层封装层，每层封装层冷却定型后再行注入新的封装层材料，每层封装层之间构造处热界面，造成热阻，将多层封装层的热胀量进行拆分，使用外部封装层对内部封装层进行热胀束缚，主动抑制碳化硅基板及其上芯片核心的热胀程度。封装装置包括压合模具、注料管，压合模具内构建封闭封装腔，注料管连接到压合模具上并深入封装腔内，封装腔容积可变，封装腔具有至少三级容积值。或者压合模具设置到陀螺架上，注料管具有独立的朝向封装腔的注液压力和背向封装腔的抽出负压，封装装置通过多次附着封装材料并冷却制备多层封装层，每层封装层冷却定型过程陀螺架进行转动。
