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申请号 | 专利名称 | 专利状态 | 申请日 | 缴费截止日 | 授权日 | 更新日 |
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2018101963762 |
发明
一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法 【特价】 高校 已公示无需二变
石墨材料 染料敏化太阳能电池 光电转化材料 复合材料 能量存储 转换材料 电极材料 清洁能源 【石墨材料 染料敏化太阳能电池 光电转化材料 复合材料 能量存储 转换材料 电极材料 清洁能源】 1人 C25B11/06 C25B1/04 C23C16/30 H01G9/20 |
已下证 | ||||
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2018100901523 |
发明
化学气相沉积法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统
石墨烯合成 半导体合成 5人 C23C16/46 C23C16/30 |
已下证 |
