发明 一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法 【特价】 高校 已公示无需二变
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C25B11/06 C25B1/04 C23C16/30 H01G9/20
摘要：本发明提供一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，具体制备方法为：钴盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂中，获得Co‑Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。硫化反应温度为600~800℃，反应时间为10 min~2 h。本发明的技术方案可用于电解水制氢和染料敏化太阳能电池，对于原位电极的批量生产有重大意义。
