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申请号 专利名称 专利状态 申请日 缴费截止日 授权日 更新日
2018105681498 发明 一种银銦镓硒薄膜及其制备方法和应用
半导体材料 第三代半导体 【半导体材料 第三代半导体】 宽禁带半导体材料 第三代半导体材料】 3人
H01L31/032 H01L31/0392 B82Y30/00
已下证
2018106159452 发明 一种四元共蒸AIGS薄膜及其制备方法和应用
化合物薄膜 光伏电池 太阳能电池 【化合物薄膜 太阳能电池】 3人
H01L31/0392 H01L31/0445 H01L31/18
已下证