发明 一种四元共蒸AIGS薄膜及其制备方法和应用
化合物薄膜 光伏电池 太阳能电池 【化合物薄膜 太阳能电池】 3人
H01L31/0392 H01L31/0445 H01L31/18
摘要：本发明公开了一种四元共蒸AIGS薄膜，包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层；所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。本发明还公开了四元共蒸AIGS薄膜的制备方法以及AIGS薄膜太阳能电池。采用一步法，通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制，提高效率和薄膜的均匀性。
