发明 电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法 【特价】 【无优惠】
半导体 光电 1人
H01L51/50 H01L51/52 H01L51/56

摘要：本发明公开了一种电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法。所述电子传输层的制作方法包括：在保护性气氛中，使包含锌源、甲基金属化合物、硅醇化合物和溶剂的均匀混合反应体系反应，得到ZnxM1‑xO前驱体，其中，M为来源于甲基金属化合物的金属元素，0

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• 09-14

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