发明 用于锂电池充电系统的VDMOS芯片及其制备方法
1人
H01L29/78 H01L23/544 H01L27/02 H01L21/336
摘要：本发明公开了用于锂电池充电系统的VDMOS芯片包括衬底、第一外延层、自第一外延层延伸至衬底的沟槽，自第一外延层向沟槽内交错形成第二外延层、第三外延层，第一外延层上位于沟槽两侧的氧化层、位于氧化层之间的开口及位于开口内的多晶硅层，形成在沟槽两侧的第一外延层内与部分氧化层连接的第一注入区、第一外延层内位于第一注入区上的第二注入区、自衬底延伸至沟槽内与第一外延层和第三外延层连接的第三注入区，多晶硅层上与部分第二注入区连接的介质层、第一金属层、第二金属层及第三金属层。本发明还提供用于锂电池充电系统的VDMOS芯片制备方法，有效确保电池和充电系统免受过温损毁，提升过温反馈速度和锂电池充电系统可靠性。
