发明 套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法【特价15】
半导体器件 光学器件 集成电路 半导体芯片 芯片制造 晶圆加工 光刻 1人
G03F7/20 G03F9/00
摘要：本申请提供一种套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法，涉及半导体制造技术领域。本申请在层叠设置且套刻标记区域位置重叠的显影光刻层、顶部光刻层、中间光刻层及底部光刻层中，通过使显影光刻层、顶部光刻层及底部光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向一致，使中间光刻层与其他光刻层在套刻标记区域中投影位置重叠的区域范围内的光栅标记的延伸方向相交，从而降低除显影光刻层与顶部光刻层以外的其他已制备的光刻层产生非必要衍射光信号的可能性，使套刻误差量测时采集到的衍射光信号尽量仅包括显影光刻层与顶部光刻层所产生的衍射光信号，提升套刻误差的计算精准度。
