发明 套刻对准标记和套刻误差测量方法【特价15】
半导体芯片 半导体器件 集成电路 光学器件 芯片制造 晶圆加工 光刻 1人
H01L23/544 H01L21/66 G03F9/00 G01B15/04
摘要：本发明实施例公开了一种套刻对准标记和套刻误差测量方法，通过设置在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露，前层标记图案的第一侧边与当层标记图案之间，以及前层标记图案的第二侧边与当层标记图案之间包括刻蚀区，该刻蚀区内不包括当层的结构，而可以包括前层的结构，因此进行电子束扫描时，当层标记图案和前层标记图案相当于在一个平面内，进而使得电子束扫描得到的SEM图像可以清楚的显示出当层标记图案和前层标记图案的边界，进而可以根据第一侧边与当层标记图案的最小距离以及第二侧边与当层标记图案的最小距离得到准确的套刻误差。
