发明 一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法 【特价】 高校 已公示无需二变
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C01G51/00
摘要：本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极，所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co‑Mo‑S前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性；利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS2电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。
