发明 一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料及其制备方法 【特价】 高校 已公示无需二变
石墨材料 加氢脱硫 染料敏化太阳能电池 电解水制氢 传感器 场效应晶体管 锂离子电子 超级电容器 催 【石墨材料 加氢脱硫 染料敏化太阳能电池 电解水制氢 传感器 场效应晶体管 锂离子电子 超级电容器 催】 1人
C01G39/06 B82Y30/00 B82Y40/00
摘要：本发明提供一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼垂直生长于基底上。其具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃下快速干燥，得到前驱膜；中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极。利用500~900℃高温，让Ni源、Co源、小分子等添加剂挥发的同时，让Mo元素与S元素结合生成二硫化钼，利用蒸发流垂直于基底这一特点帮助二硫化钼塑性成垂直于基底的阵列。
