发明 一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法 【特价】 高校 已公示无需二变
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C25B11/06 C25B1/04 C01G51/00 C01G39/06 B82Y40/00 B82Y30/00
摘要:本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法,将生长有四氧化三钴阵列的基底,于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化,获得硫化钴纳米针阵列电极;将氯化钼溶于挥发非水溶剂,并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面,干燥待用;再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,经第二次硫化,随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。