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发明 一种IGBT半导体器件结构
IGBT器件 电力晶体管 半导体器件 (IGBT器件 半导体器件) 1人
H01L23/473 H01L23/42 H01L23/367
摘要:本发明属于IGBT器件技术领域,且公开了一种IGBT半导体器件结构,包括IGBT模块,固装于所述IGBT模块底部的散热壳,安装于所述散热壳内部的注水组件以及安装于所述IGBT模块顶部且与所述注水组件连通的散热组件,通过注水组件与散热组件对IGBT模块进行热交换。本发明通过记忆金属受到热量收缩,拉动两个支撑板向中部移动,并使接触块与支撑板接触,使水泵通电,通过水泵工作将外部的水注入注水管与散热管内部,由于散热管顶部与IGBT模块底部接触,从而通过散热管内部的水对IGBT模块工作产生的热量进行热交换,水通过对接管进入换热板内部,并通过注水组件与散热组件对IGBT模块进行散热,从而避免IGBT模块通电过程中出现过热现象,从而提高IGBT模块的使用寿命。
发布人员
  • 09-19

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